半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法

摘要

本发明涉及一种半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法。该方法，通过一个单调掩模板形成了栅线、公共线和压花，通过第一双调掩模板形成了数据线、源/漏电极、反射板和TFT沟道，通过第二双调掩模板形成了与漏电极连接的像素电极，从而实现了水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板的制作。相比现有的水平电场型透过式液晶显示装置的阵列基板的制作，本发明的阵列基板的制造方法，用一个单调掩模板代替了一个双调掩模板，并且实现了半透过式阵列基板，从而有效地降低了半透过式阵列基板的制造成本；另外，相比现有技术在减少一次灰化工艺的前提下实现了水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板的制作，从而有效地提高了生产效率。

主权项

1、一种半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法，包括预置层的制作和后置层的制作，其特征在于，所述预置层的制作包括：第一次掩模工艺，在基板上沉积第一金属层之后涂布光刻胶，采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，在显示区域的反射区域形成压花，并且形成栅线；第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶，采用第一双调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成数据线并且在所述显示区域的反射区域形成反射板，对所述光刻胶进行灰化之后再进行蚀刻，形成薄膜晶体管沟道、与数据线连接的源电极和漏电极。