| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。 | ||
| 申请公布号 | CN101661863A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200910175087.5 | 申请日期 | 2007.03.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 松本直树;舆水地盐;早川欣延;花冈秀敏;岩田学;田中谕志 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，具有：可真空排气的接地的处理容器；第一电极，通过绝缘物或空间安装在所述处理容器内；第二电极，其在所述处理容器内空出规定的间隔而与所述第一电极平行地配置，与所述第一电极相对并支承被处理基板，第一高频供电部，向所述第二电极施加具有第一频率的第一高频；第二高频供电部，向所述第二电极施加具有比所述第一频率低的第二频率的第二高频；处理气体供给部，向所述第一电极、所述第二电极和所述处理容器的侧壁之间的处理空间提供期望的处理气体；直流电源，对所述第一电极施加期望的直流电压；滤波器，其电连接在所述第一电极与所述直流电源之间，且实质上贯穿通过直流，而对高频具有期望的频率-电阻特性，所述第一电极是上部电极，所述第二电极是下部电极，所述滤波器具有可变阻抗元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||