| 发明名称 | 一种制备CuInSe<sub>2</sub>基薄膜太阳能电池光吸收层的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备CuInSe<sub>2</sub>(CIS)基薄膜太阳能电池光吸收层的方法。首先在钠玻璃基片溅射上制备CIS基薄膜太阳能电池所需的Mo电极；然后以CuIn<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>Se<sub>2.2</sub>为靶材，在Mo电极上进行溅射得沉积态CuIn<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>Se<sub>2.0</sub>(CIGS)薄膜，再对沉积态的CIGS薄膜进行热处理：真空腔体充氩气至100Pa，将沉积态CIGS薄膜以20～40℃/min的升温速率升温至450～550℃，保温15min，随后以20～40℃/min的降温速率降温至350℃，随炉冷却至室温，得到CuInSe<sub>2</sub>基薄膜太阳能电池CIGS光吸收层。 | ||
| 申请公布号 | CN101661971A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200910092913.X | 申请日期 | 2009.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 古宏伟;丁发柱 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 关 玲;贾玉忠 |
| 主权项 | 1、一种制备CuInSe2基薄膜太阳能电池光吸收层的方法，其特征在于，采用磁控溅射设备进行射频磁控溅射，溅射步骤如下：(1)在钠玻璃基片上溅射钼Mo，制备CIS基薄膜太阳能电池所需的钼Mo电极；(2)将制备的钼Mo电极放入磁控溅射设备的真空腔体，安装CuIn0.7Ga0.3Se2.2陶瓷靶，靶基距为40～60mm，然后抽真空至小于3.0×10-3Pa，随后通入氩气，将气压调至0.1～0.8Pa，开始溅射，将溅射功率增加至50～80W；待辉光稳定后，开始沉积，沉积20～40min后，停止溅射，断开氩气，关闭真空系统，得到沉积态CIGS薄膜；(3)将所述的真空腔体充氩气至100Pa，将沉积态CuIn0.7Ga0.3Se2.0薄膜以20～40℃/min的升温速率升温至450～550℃，保温20～30min，随后以20～40℃/min的降温速率降温至350℃，最后随真空腔体冷却至室温，打开腔体，取出样品，得到CuInSe2基薄膜太阳能电池CIGS光吸收层。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北二条6号 | ||