具有单端写入电路之储存电路及其写入方法

摘要

本发明揭示一种于储存电路(19)内之单端写入电路(18)，其包括如下之电晶体(35)：当锁存节点(50)从逻辑状态"0"转换为逻辑状态"1"时，该电晶体提供辅助以将锁存节点(51)从逻辑状态"1"转换为逻辑状态"0"。同样地，单端写入电路(18)亦包括如下之电晶体(37)：当锁存节点(51)从逻辑状态"0"转换为逻辑状态"1"时，该电晶体提供辅助以将锁存节点(50)从逻辑状态"1"转换为逻辑状态"0"。在本发明之某些具体实施例中，电晶体(35)之作用可选择性地应用于锁存器(16)；而如电晶体(34)之一装置则可用于选择性地否定电晶体(35)之作用。在本发明之某些具体实施例中，电晶体(37)之作用为可选择性地应用于锁存器(16)；而如电晶体(36)之一装置则可用于选择性地否定电晶体(37)之作用。

主权项

一种具有单端写入电路之储存电路，其包括：一资料线；一字元线；一具有第一及第二节点之锁存器；一第一电晶体，该第一电晶体具有一电性连接至该第一节点之第一电流电极、一电性连接至该资料线之第二电流电极和一电性连接至该字元线之控制电极；以及一第二电晶体，该第二电晶体具有一电性连接至该第二节点之第一电流电极、一电性连接至一电源节点之第二电流电极，以及一电性连接至该资料线或该字元线其中之一之控制电极。