Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen von mit Gallium verunreinigten Schichten

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen einer mit Gallium verunreinigten Schicht (120, 220) mit den Verfahrensschritten des Bereitstellens zumindest einer ersten halogenhaltigen Verbindung als ein Ätzgas an einer Stelle, an der ein Elektronenstrahl auf die Schicht (120, 220) trifft, und des Bereitstellens zumindest einer zweiten halogenhaltigen Verbindung als ein Präkursorgas zum Entfernen des Galliums an dieser Stelle.