| 发明名称 | 用于浸渍光刻的聚合物、含有它的光致抗蚀剂组合物、制备半导体器件的方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种包含由式1所示重复单元的用于浸渍光刻的聚合物，及含有该聚合物的光致抗蚀剂组合物。由本发明的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂薄膜是高度抗溶解的，即防止光酸发生剂溶解于浸渍光刻的水溶液中，从而防止曝光导致的曝光透镜污染和光致抗蚀剂图案的变形。 | ||
| 申请公布号 | CN100590526C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200510136300.3 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑载昌;卜喆圭;林昌文;文承灿 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种包含式3所示的重复单元的光酸产生聚合物：[式3]<img file="C2005101363000002C1.GIF" wi="1369" he="873" />式中X<sub>1</sub>为C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>亚烷基、硫或氧；R<sub>1</sub>为直链或支链C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基，或者经卤素部分或全部取代的直链或支链C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基；R<sub>2</sub>为酸不安定保护基；及R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>单独为氢或甲基；式中a∶b∶c∶d的相对量，以重量份计，为5～30∶100∶5～30∶5～70。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||