发明名称 | 倒装焊发光二极管硅基板及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及了一种倒装焊发光二极管硅基板及其制造方法,通过N型硅基板(19)背面金属层(20)导电,使用第一绝缘层(14)和第二绝缘层(21),实现围墙下金属层(8)和凸点下金属层(18)的分步电镀,解决N型硅基板围墙和凸点的制造问题,在电镀过程中,不必要求芯片之间及芯片内部凸点下金属层互连,就可在围墙或凸点区域沉淀金属,并易于控制围墙和凸点的高度,保证产品的良率。 | ||
申请公布号 | CN100590901C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
申请号 | CN200810048739.4 | 申请日期 | 2008.08.08 |
申请人 | 武汉华灿光电有限公司 | 发明人 | 郑如定;鲍坚仁 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1.一种倒装焊发光二极管硅基板,其特征在于:在N型硅基板的P型掺杂区布置围墙下金属层及凸点下金属层,围墙下金属层与凸点下金属层之间电不导通,并在N型硅基板背面沉淀金属,形成N型硅基板背面金属层。 | ||
地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 |