| 发明名称 | 用于沉积含硅薄膜的前体及其制备和使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，以及由所述氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一个实施方案中，提供了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包含下式(I)：(R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>N)<sub>n</sub>SiR<sup>3</sup><sub>4-n</sub>，其中取代基R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地选自包含1-20个碳原子的烷基和包含6-30个碳原子的芳基，其中取代基R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>中的至少一个包含至少一个选自下列基团的吸电子取代基：F、Cl、Br、I、CN、NO<sub>2</sub>、PO(OR)<sub>2</sub>、OR、RCOO、SO、SO<sub>2</sub>、SO<sub>2</sub>R，其中在所述至少一个吸电子取代基中的R选自烷基或芳基；R<sup>3</sup>选自H、烷基或芳基；以及n为1-4的数字。 | ||
| 申请公布号 | CN101648964A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200910166911.0 | 申请日期 | 2009.08.12 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 程汉颂;萧满超;G·S·拉尔;T·R·加夫尼;周成刚;吴金平 |
| 分类号 | C07F7/10(2006.01)I;C07F7/02(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段家荣;韦欣华 |
| 主权项 | 1、用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包含下式(I)：(R1R2N)nSiR34-n(I)其中取代基R1和R2各自独立地选自包含1-20个碳原子的烷基和包含6-30个碳原子的芳基，其中取代基R1和R2中的至少一个包含至少一个吸电子取代基，该吸电子取代基选自：F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO(OR)2、OR、RCOO、SO、SO2、SO2R，其中所述至少一个吸电子取代基中的R选自烷基或芳基，R3选自H、包含1-20个碳原子的烷基或包含6-12个碳原子的芳基；以及n为1-4的数字。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||