一种混合传播式MOS晶体管电学统计模型的建模方法

摘要

一种混合传播式MOS晶体管电学统计模型建模方法，其中包括：采用前向传播方法的工序，该工序具有确定3个模型参数标准偏差的步骤S1；以及采用后向传播方法的工序，该工序具有选取4个模型参数并且进行所述模型参数与所述工艺标准偏差的数值差分法灵敏度分析的步骤S5。本混合传播式的建模方法，发挥前、后向传播建模方法各自的优势，提高MOS晶体管电学统计模型开发的效率及实用性。

主权项

1、一种混合传播式MOS晶体管电学统计模型建模方法，其特征在于，该建模方法包括采用确定模型偏差进行模拟到所得工艺偏差基本符合实测工艺偏差的前向传播方法的工序、以及采用从可测工艺偏差反向推算模型偏差的后向传播方法的工序；所述前向传播方法的工序与后向传播方法的工序，两种传播方式彼此互补；采用前向传播方法的工序中，选取以下MOS晶体管BSIM4模型参数，即选取的模型参数为工业界标准MOS BSIM4模型中的氧化层厚度Tox、源极与漏极接触的块电阻Rsh、以及器件的阈值电压Vth0；采用后向传播方法的工序中，选取以下MOS晶体管BSIM4模型参数，即选取的模型参数为工业界标准MOS BSIM4模型中的工艺所致的沟道长度的变化Xl、工艺所致的沟道宽度的变化Xw、阈值电压的短沟道效应系数k1和阈值电压的窄沟道效应系数k3。