静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法

摘要

本发明揭露了一种静态随机存储器(SRAM)上拉晶体管阈值电压调整方法，利用与上拉晶体管共用栅极的下拉晶体管的离子注入来调整上拉晶体管的阈值电压，从而省略了专门针对SRAM上拉晶体管的阈值调整注入步骤，简化了工艺，降低了成本。该方法于下拉晶体管的栅极刻蚀前注入或栅极刻蚀后所进行的后续离子注入前，设定相应离子注入区的边缘与所述上拉晶体管有源区的距离，其中该边缘位于所述上拉晶体管有源区与下拉晶体管有源区之间；利用光掩膜为所述下拉晶体管定义具有上述边缘的离子注入区。

主权项

1.一种静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法，包括：(1)提供半导体衬底；(2)于半导体衬底中形成共用栅极的上拉晶体管与下拉晶体管的有源区；(3)于半导体衬底上形成栅极层；(4)对所述下拉晶体管进行栅极刻蚀前注入；(5)刻蚀上述栅极层，以形成所述上拉晶体管与下拉晶体管的共用栅极；(6)对所述下拉晶体管进行后续离子注入，其特征是，在进行步骤(4)或(6)中的离子注入前，包括：设定相应离子注入区的边缘与所述上拉晶体管有源区的距离，其中该边缘位于所述上拉晶体管有源区与下拉晶体管有源区之间；利用光掩膜为所述下拉晶体管定义具有上述边缘的离子注入区。