发明名称 |
背侧光感测装置以及形成背侧光感测装置的方法 |
摘要 |
一种背侧光感测装置,包括半导体基底,具有上表面与阶梯状下表面,多个像素,形成于上表面;多个吸收深度,形成于上、下表面之间,由蚀刻该半导体基底形成一体结构,每个吸收深度根据每个像素排列;以及多个彩色滤光片,形成于半导体基底的下表面,吸收深度位于像素与彩色滤光片之间。一种形成背侧光感测装置的方法包括提供具有上表面与阶梯状下表面的半导体基底,在上表面形成第一像素、第二像素以及第三像素;在下表面形成第一厚度、第二厚度以及第三厚度,其中第一、二、三厚度分别位于第一、二、三像素之下。于半导体基底的下表面形成一第一滤光片、一第二滤光片以及一第三滤光片,其中第一、二、三滤光片分别位于上述第一、二、三厚度之下。 |
申请公布号 |
CN100590879C |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
申请号 |
CN200710102430.4 |
申请日期 |
2007.05.08 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
许慈轩;谢元智;杨敦年;喻中一 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
邢雪红 |
主权项 |
1.一种背侧光感测装置,其特征在于,包括:半导体基底,具有上表面、下表面以及中间部分,上述下表面呈阶梯状;多个象素,形成于上述半导体基底的上述上表面,其中上述中间部分具有多个不同的吸收深度,上述吸收深度形成于上述半导体基底的上述下表面与上表面之间,上述多个吸收深度由蚀刻该半导体基底而形成一体结构,使得上述吸收深度等于上述半导体基底的厚度,并且每个上述吸收深度根据每个上述象素排列;以及多个彩色滤光片,形成于上述半导体基底的上述下表面,其中上述吸收深度位于上述象素与上述彩色滤光片之间。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |