发明名称 一种Mg-Si高阻尼合金的制备方法
摘要 本发明涉及一种Mg-Si高阻尼合金的制备方法,其特征在于:以Mg-Si二元合金为基础熔炼,其中Si元素含量为:5~6wt.%Si,余量为Mg;Si以Mg-10wt.%Si的中间合金形式加入,则中间合金含量为50~60wt.%,Mg则采用工业纯镁;采用往复挤压(Reciprocating Extrusion,RE)是大塑性变形方式的一种,是细化晶粒的有效手段之一,且能够使增强颗粒在基体上更加均匀分布,显著消除材料内部的孔隙等缺陷,降低复合材料中空隙和增强相的团聚对材料的割裂作用,减小裂纹产生倾向。
申请公布号 CN101649408A 申请公布日期 2010.02.17
申请号 CN200910023843.2 申请日期 2009.09.09
申请人 西北工业大学 发明人 王锦程;赖云亭;杨根仓;杨长林
分类号 C22C23/00(2006.01)I;C22C1/03(2006.01)I;C22C1/06(2006.01)I;C22F1/06(2006.01)I 主分类号 C22C23/00(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 代理人 王鲜凯
主权项 1.一种Mg-Si高阻尼合金的制备方法,其特征在于:以Mg-Si二元合金为基础,其中Si元素含量为:5~6wt.%Si,余量为Mg;Si以Mg-10wt.%Si的中间合金形式加入,则中间合金含量为50~60wt.%,Mg则采用工业纯镁;所述的wt为质量分数;具体步骤如下:步骤1:将坩埚预热到250℃,在坩埚内壁刷镁合金熔炼通用的坩埚涂料;步骤2:将坩埚加热到300℃,将工业纯Mg加入坩埚并开始通入CO<sub>2</sub>+0.5vol%SF<sub>6</sub>混合气体进行保护;步骤3:继续升温至镁完全熔化后,于730℃加入Mg-10wt.%Si中间合金;步骤4:继续升温至780℃,保温并搅拌使中间合金充分熔化;步骤5:降温至750℃,以0.5wt.%的C<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>作为精炼剂精炼3分钟,再通入经充分干燥的Ar气吹洗3-6分钟;步骤6:静置20分钟,并将温度降至720℃,在预热至300℃的石墨型中浇铸成<img file="A2009100238430002C1.GIF" wi="179" he="40" />的铸锭;步骤7:将铸锭车削去表皮,机加工成<img file="A2009100238430002C2.GIF" wi="416" he="40" />和<img file="A2009100238430002C3.GIF" wi="418" he="40" />的棒料;步骤8:将往复挤压模具合模后,在两端的挤压桶中分别装入<img file="A2009100238430002C4.GIF" wi="419" he="40" />和<img file="A2009100238430002C5.GIF" wi="414" he="41" />的棒料,在300℃、7MPa下用两个阳模在两端加压进行预挤压,并保压30min;步骤9:将模具固定于模具翻转机构上,在320~360℃,用压力机压下U型挤压杆,然后取下U型挤压杆,翻转模具,重新再放上U型挤压杆重复上述挤压过程,完成4道次的往复挤压,挤压压力为7~10MPa,挤压比为12.76∶1;步骤10:待模具冷却后,开模并取出被挤压的Mg-Si合金。
地址 710072陕西省西安市友谊西路127号