与非型多位非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种NAND型多位非易失性存储器件。该存储器件包括：半导体衬底，其包括体和突出在所述体之上的至少一对鳍；第一绝缘层，其形成在所述成对的鳍之间在所述体上；多个控制栅极电极，其跨过所述第一绝缘层和所述鳍延伸并部分覆盖所述鳍的外壁的上部分；以及多个存储节点，其置于所述控制栅极电极与所述鳍之间并与所述半导体衬底绝缘。所述控制栅极电极顺序成对为两个的组，并且分别包括在相邻对中的相邻控制栅极电极之间的第一距离大于每对的所述控制栅极电极之间的第二距离。

主权项

1.一种NAND型多位非易失性存储器件，包括：半导体衬底，其包括体和突出在所述体之上的至少一对鳍；第一绝缘层，其形成在所述成对的鳍之间在所述体上；多个控制栅极电极，其跨过所述第一绝缘层和所述成对的鳍延伸并部分覆盖所述成对的鳍的外壁的上部分，所述控制栅极电极与所述半导体衬底绝缘；多个存储节点，其置于所述控制栅极电极与所述鳍之间并与所述半导体衬底绝缘；以及形成在所述体的在所述成对的鳍的外侧的部分上并暴露所述成对的鳍的外壁的所述上部分的第二绝缘层，其中所述控制栅极电极顺序成对为两个的组，并且分别包括在相邻对中的相邻控制栅极电极之间的第一分隔距离大于每对的所述控制栅极电极之间的第二分隔距离。