| 发明名称 | 存储器编程方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。后一次施加的漏极电压均在前一次的漏极电压基础上增加一电压值。所述电压值的取值范围为0.5V～2V。向漏极施加的初始漏极电压为5V～10V。所述栅极电压为稳定电压。与现有技术相比，本发明的存储器编程方法，在完成第一次电压操作后，在原有电压值上增加一电压值，使得热电子在邻近上一次热电子发生的位置上，获得足够的能量跃迁进入存储单元内，如此，经过若干次后，即可在存储单元内获得均匀分布的电子，避免了作为存储信息的电子集中在一起而降低关断性能，导致整个器件性能的下降。 | ||
| 申请公布号 | CN101650968A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200910055370.4 | 申请日期 | 2009.07.24 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨潇楠;孔蔚然;张博;王永 |
| 分类号 | G11C11/40(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C17/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1.一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，其特征在于：在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||