| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于制造半导体器件的方法，其包括下述步骤：形成SiC膜；在SiC膜的表面形成沟槽(20)；通过向SiC膜表面提供Si，对SiC膜进行热处理；以及在通过所述热处理步骤的SiC膜的表面，获得多个宏台阶(1)以构造沟道。当设沟槽(20)一个周期长度作为L和沟槽(20)的高度作为h时，周期的长度L和高度h满足以下关系式：L＝h(cotα+cotβ)(其中，α和β分别是满足关系式0.5°≤α，β≤45°的变量)。该方法能够获得改善性能的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101652833A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200880011389.2 | 申请日期 | 2008.03.10 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 增田健良 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件(90)，其包含由碳化硅构成的半导体膜(11)，其中，所述半导体膜(11)在其表面具有等长的多个宏台阶(1)，所述多个宏台阶(1)构成至少一个沟道(16)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||