发明名称 |
具电流监控之低功率消耗金氧半场效电晶体 |
摘要 |
一种具电流监控之低功率消耗金氧半场效电晶体,包含主体晶片、导线架与监控晶片,主体晶片具有积体电路,且主体晶片上表面设有源极接合垫与闸极接合垫,导线架具有导线架垫并设置于主体晶片之上方,而监控晶片上表面则设有源极接合垫与闸极接合垫,监控晶片连接于主体晶片,且主体晶片之源极接合垫连接于监控晶片之源极接合垫,主体晶片之闸极接合垫连接于监控晶片之闸极接合垫,使得主体晶片上表面与监控晶片上表面彼此邻近。 |
申请公布号 |
TWI320600 |
申请公布日期 |
2010.02.11 |
申请号 |
TW094136414 |
申请日期 |
2005.10.18 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
雷燮光;安荷叭剌 |
分类号 |
H01L29/78;G05F3/16;G05F1/575 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
林火泉 |
主权项 |
一种具电流监控之低功率消耗金氧半场效电晶体,包含:一主体晶片,具有一源极端与一闸极端;一监控晶片,具有一源极端与一闸极端,该监控晶片连接于该主体晶片,使该主体晶片之该源极端与该闸极端连接于该监控晶片之该源极端与该闸极端;及其中该监控晶片包含一上表面,该监控晶片之上表面具有该源极端与该闸极端,该主体晶片包含一上表面,该主体晶片之上表面具有该源极端与该闸极端,且该监控晶片之上表面与该主体晶片之上表面之其中之一个系设置于另一个的顶部。 |
地址 |
美国 |