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Ein Bildsensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung werden bereitgestellt. Gemäß einer Ausführungsform wird ein Halbleitersubstrat bereitgestellt, das eine Ausleseschaltung umfasst. Eine mit der Ausleseschaltung elektrisch verbundene Verbindung und ein Zwischenschichtdielektrikum sind über dem Halbleitersubstrat angeordnet. Eine Bilderfassungseinheit ist über dem Zwischenschichtdielektrikum angeordnet und umfasst eine erste Dotierungsschicht und eine zweite Dotierungsschicht, die darin gestapelt sind. Ein die Verbindung freilegendes erstes Durchkontaktierungsloch ist durch die Bilderfassungseinheit ausgebildet. Ein vierter Metallkontakt ist im ersten Durchkontaktierungsloch ausgebildet, um die Verbindung und die erste Dotierungsschicht elektrisch zu verbinden. Ein fünfter Metallkontakt ist über dem vierten Metallkontakt ausgebildet, wobei der fünfte Metallkontakt gegen den vierten Metallkontakt elektrisch isoliert und mit der zweiten Dotierungsschicht elektrisch verbunden ist.
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