Halbleiterbauelement mit einer dynamischen Gate-Drain-Kapazität

摘要

Halbleiterbauelement 1 mit einer dynamischen Gate-Drain-Kapazität. Eine Ausführungsform stellt ein Halbleiterbauelement 1 bereit. Das Bauelement 1 enthält ein Halbleitersubstrat 2, eine Feldeffekttransistorstruktur mit einer Sourceregion 24, einer ersten Bodyregion 23, einer Drainregion 21, einer Gateelektrodenstruktur 40 und einer Gateisolationsschicht. Die Gateisolationsschicht ist zwischen der Gateelektrodenstruktur 40 und der Bodyregion 23 angeordnet. Die Gateelektrodenstruktur 40 und die Drainregion 21 bilden teilweise eine Kondensatorstruktur mit einer Gate-Drain-Kapazität, die dafür ausgelegt ist, sich mit zwischen der Source- und Drainregion 24, 21 angelegten variierenden Sperrspannungen dynamisch zu ändern. Die Gate-Drain-Kapazität umfasst mindestens ein lokales Maximum bei einer gegebenen Schwelle oder einen plateauartigen Verlauf bei gegebener Sperrspannung.