Feldeffekteinrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Ausführungsbeispiele betreffen einen Feldeffekttransistor, der einen Bodybereich, einen ersten Source-/Drainbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten Source-/Drainbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp und einen Taschenimplantationsbereich benachbart zu dem ersten Source-/Drainbereich aufweist, wobei der Taschenimplantationsbereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist, wobei der zweite Leitfähigkeitstyp sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet. Der Bodybereich kontaktiert den Taschenimplantationsbereich körperlich.