| 摘要 |
<p>Verfahren zur waferbasierten Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen (40,100) mit jeweils mindestens einem Halbleiterkörper (30) und einem Bauelementgehäuse, bei dem eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterkörpern mit jeweils einem ersten elektrischen Kontakt (31) und einem zweiten elektrischen (32) Kontakt und ein Substratwafer (10,100) mit einer ersten Hauptfläche (120) und einer zweiten Hauptfläche (120') bereitgestellt werden.</p> |
