发明名称 |
高温蒸汽除硼制备太阳能级硅 |
摘要 |
高温蒸汽除硼制备太阳能级硅阐述了除硼的原理。根据反应原理设计出具体的反应方案和设备,以及对不同硼含量的硅的处理要求。新的反应原理使对反应设备的要求明显降低,操作简单,使低本的物理提纯法制备太阳能级多晶硅成为可能。 |
申请公布号 |
CN101638231A |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200810041221.8 |
申请日期 |
2008.07.31 |
申请人 |
郑金标;何念银 |
发明人 |
郑金标;何念银 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种硅提纯方法,酸处理后的硅粉在无氧条件下,加热到500℃~1000℃高温,并缓慢通入经过加热到相同温度的水蒸汽,使硅里的硼与水反应,反应方程式:2B+6H2O(g)→2B(OH)3+3H2(g),生成物进一步与水反应生成挥发性物质,使含量减少,反应方程式:B2O3+H2O(g)→2HBO2(g)。 |
地址 |
201102上海市闵行区虹幸路1518弄28支弄501室 |