发明名称 |
防止芯片中的背面微裂纹向其正面扩展的方法和芯片 |
摘要 |
本申请涉及防止半导体芯片或晶片中的背面微裂纹的形成及向其正面扩展的方法、芯片或晶片。具体地,提供了一种防止在处理硅(Si)半导体芯片或晶片时在其背面上形成裂纹的方法。还提供了用于防止在制造电子封装期间在处理硅芯片期间、在使其和衬底接合之前其背面上已经形成的裂纹扩展的方法。此方法要求或者用湿法蚀刻处理背面,或者在形成包括芯片或晶片的电子封装之前在芯片或晶片上施加保护膜层。 |
申请公布号 |
CN100587909C |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200710112279.2 |
申请日期 |
2007.06.29 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
杰弗里·P.·冈比诺;杰罗姆·B.·拉斯克;沃尔夫冈·索特;蒂莫西·哈里森·道本斯佩克;克里斯多夫·戴维·穆西 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李春晖 |
主权项 |
1.一种防止半导体芯片或晶片中的背面微裂纹的形成和向其正面扩展的方法,其中所述芯片或晶片适合与元件工作连接以形成电子封装装置,所述方法包括:探明在所述芯片或晶片的背面中存在至少一个擦伤;确定微裂纹已经从所述至少一个擦伤朝所述半导体芯片或晶片的正面扩展进入所述半导体芯片或晶片;以及对所述背面和微裂纹进行湿法蚀刻以钝化所述微裂纹的起始端并防止其进一步向前扩展。 |
地址 |
美国纽约 |