| 发明名称 | 非沉积制程的缺陷控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非沉积制程的缺陷控制方法，依次包括下列步骤：将晶片放置于反应室内的静电吸盘上；向反应室通反应气体，增加反应室内压强；开启反应室内射频；开启反应室内高电压；向晶片背面通制冷气体；刻蚀完成，停止向晶片背面通制冷气体；关闭高电压；关闭射频，对晶片进行静电放电。本发明在不增加工艺流程复杂性的情况下，实现了在非沉积制程中对晶元主要缺陷的控制。 | ||
| 申请公布号 | CN100587903C | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200610147707.0 | 申请日期 | 2006.12.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘瑛;王劲松;张淑燕;孙长峰;石小兵 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王 洁 |
| 主权项 | 1、一种非沉积制程的缺陷控制方法，其特征在于依次包括下列步骤：将晶片放置于反应室内的静电吸盘上；向反应室通反应气体，增加反应室内压强；开启反应室内射频；开启反应室内高电压；向晶片背面通制冷气体；刻蚀完成，停止向晶片背面通制冷气体；关闭高电压；关闭射频，对晶片进行静电放电。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||