半导体器件以及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体器件以及其制造方法，其中以自对准方式形成具有不同宽度的LDD区域，并且根据每个电路精密地控制该LDD区域的宽度。通过使用提供有由衍射光栅图案或半透明膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，可以自由设定栅极的厚度薄的区域的宽度，并可以根据每个电路将该栅极作为掩模以自对准方式形成的两个LDD区域的宽度有差异地设定。此外，在一个TFT中的具有不同宽度的两个LDD区域都与栅极重叠。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括具有绝缘表面的衬底上的半导体层；所述半导体层上的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅极，该栅极包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层形成在所述第一导电层上，所述半导体层包括源极区域、漏极区域、沟道形成区域、配置在所述沟道形成区域和所述源极区域之间的第一杂质区域、以及配置在所述沟道形成区域和所述漏极区域之间的第二杂质区域，所述第一导电层与所述沟道形成区域、所述第一杂质区域、以及所述第二杂质区域重叠，所述第二导电层与所述沟道形成区域重叠，所述第二杂质区域的宽度大于所述第一杂质区域的宽度，所述第一导电层的宽度大于所述第二导电层的宽度，且所述第一杂质区域和所述第二杂质区域以比所述源极区域以及所述漏极区域更低的浓度包含n型或p型杂质元素。