只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置

摘要

半导体存储装置具备：把存储器单元排列成矩阵的存储器单元阵列；在选择上述存储器单元阵列的字线的同时，向字线传送电压的行译码器电路。上述行译码器电路具备：第1导电类型的多个第1晶体管，其电流通路的一端被分别直接连接在各条字线上；第2导电类型的第2晶体管，和第1导电类型极性相反，在向选择出的字线传送电压的动作时，向被连接在选择出的字线上的上述第1晶体管的栅极传送电压。向上述选择出的字线的电压传送只用第1导电类型的第1晶体管进行。

主权项

1.一种半导体存储装置，包括：把存储器单元排列成矩阵的存储器单元阵列，包括多个字线；第1导电类型的第1晶体管，所述第1晶体管的源极与多个所述字线中的相应的一个字线相连接；与第1导电类型极性相反的第2导电类型的第2晶体管，所述第2晶体管的漏极与所述第1晶体管的栅极相连接；第1导电类型的第3晶体管，所述第3晶体管的源极与所述第1晶体管的栅极相连接；其中，在数据读出动作、数据写入动作和数据擦除动作中的至少一个动作中，所述第2晶体管的源极的电压电平和所述第3晶体管的漏极的电压电平不同，在数据读出动作、数据写入动作和数据擦除动作中的至少一个动作中，所述第2晶体管的栅极和所述第3晶体管的漏极具有不同的电压电平，并且当所述第3晶体管的漏极成为低逻辑电平和高逻辑电平时，所述第2晶体管的栅极分别成为高逻辑电平和低逻辑电平，其中，在所述数据写入动作的至少一部分中，连接到所选择的字线的所述第1晶体管的栅极的电压电平高于连接到所选择的字线的所述第1晶体管的漏极的电压电平。