非易失性存储器件

摘要

公开了一种具有在衬底上限定的单元区和外围电路区的非易失性存储器件。在单元区中设置单元栅电极，同时在外围电路区中设置外围栅电极。每个单元栅电极包括层叠的导电和半导体层，但是外围栅电极包括层叠的半导体层。单元栅电极的导电层在材料上不同于外围栅电极的最低半导体层，其能够改进存储单元和外围晶体管的性能而不导致彼此间的相互干扰。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：衬底，具有单元区和外围电路区；多层电荷存储绝缘层，其形成在单元区中的衬底上；单元栅电极，其具有在多层电荷存储绝缘层上连续层叠的导电层和半导体层，导电层包括具有大于4eV的功函数的金属的单层或多层；栅绝缘层，形成在外围电路区中的衬底上；以及外围电路栅电极，其具有在栅绝缘层上层叠的半导体层，其中导电层与外围电路栅电极的半导体层的最低层不同。