发明名称 可变厚度之晶种层的形成方法与系统
摘要 一种针对后续之金属电化学电镀处理,于基板上形成可变厚度之晶种层的方法与系统,相较于使用一恒定厚度之晶种层,该晶种层之厚度分布改善了电镀金属层之均匀度。该方法包含:在一包含喷头之处理室内提供一基板,基板中心大致上对准该喷头之内侧气体输送区且基板边缘大致上对准喷头之外侧气体输送区。该方法更包含:藉由将该基板暴露在流经内侧气体输送区且含有含金属前驱物之第一气体下,以及将该基板暴露在流经外侧气体输送区之第二气体下,以使晶种层之基板边缘沉积厚度小于基板中心沉积厚度。
申请公布号 TWI320063 申请公布日期 2010.02.01
申请号 TW095107813 申请日期 2006.03.08
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 松田司
分类号 C30B23/00;C30B25/00;C30B28/12;H01L21/3205 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项 一种晶种层之形成方法,用以在包含喷头之处理室中形成晶种层,该喷头包含一内侧气体输送区以及一外侧气体输送区,该方法包含:于该处理室中设置一基板,该基板之中心大致上对准内侧气体输送区,而该基板之一边缘大致上对准外侧气体输送区;以及于该基板上沉积一可变厚度钌(Ru)晶种层,此系藉由如下方式施行之:将该基板曝露在流经该内侧气体输送区之一第一气体下,该第一气体包含有第一含量之Ru3(CO)12,与将该基板曝露在一流经该外侧气体输送区之第二气体下,该第二气体包含有第二含量之Ru3(CO)12,该第二含量系介于零以及一低于第一含量的值之间,藉由上述方式,该晶种层于该基板边缘的沉积厚度低于在该基板中心的沉积厚度。
地址 日本