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经营范围
发明名称
磁控溅镀装置
摘要
本创作系揭露一种磁控溅镀装置,可包含一反应室、一靶板、二个不同极性之磁性单元及一基材。靶板系设置于反应室中。磁性单元系设置于靶板之一侧,每一磁性单元分别具有一导角,且于磁性单元之间形成一特定之磁力曲线。基材系设置于反应室中。藉由使磁性单元形成特定导角,使大部分之磁力曲线平行于靶板,因此位于反应室内之制程离子可轰击大部分之靶板面积,以延长靶板之使用寿命。
申请公布号
TWM373562
申请公布日期
2010.02.01
申请号
TW098215220
申请日期
2009.08.18
申请人
赫普真空科技股份有限公司
发明人
谢禛锋;朱政彦;洪茂森
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
李国光;张仲谦
主权项
一种磁控溅镀装置,包含:一反应室,系容置一基材;一靶板,系设置于该反应室中;一第一磁性单元,系设置于该靶板之一侧,该第一磁性单元具有一第一导角;及一第二磁性单元,系设置于该靶板之一侧并环设于第一磁性单元之外侧,该第二磁性单元具有一第二导角,且该第二磁性单元与该第一磁性单元具有不同的磁极;其中,该第一磁性单元及该第二磁性单元之间系形成复数条磁力曲线。
地址
台北县新庄市中正路514巷105弄10之1号
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