| 发明名称 | 动态随机存取记忆体之结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory，DRAM)之制法，包括下列步骤：提供一基底，包含一阵列(array)区与一周边电路(periphery)区；形成复数个闸极结构于该阵列区与该周边电路区中；顺应性形成一阻障层于该基底与该等闸极结构上；形成一介电层于该阻障层上；将该介电层进行回蚀使于阵列区中形成一残留之介电层以及周边电路区中之该等闸极结构的二侧形成一间隙壁；施行一离子布植以于该周边电路区中形成一源/汲极；形成一罩幕层以覆盖住该周边电路区；以及以该罩幕层为蚀刻罩幕去除该阵列区中该残留之介电层。 | ||
| 申请公布号 | TWI320229 | 申请公布日期 | 2010.02.01 |
| 申请号 | TW092112099 | 申请日期 | 2003.05.02 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 王建中;吴国坚;陈逸男 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
| 主权项 | 一种动态随机存取记忆体(DRAM)之制法，包括下列步骤：提供一基底，包含一阵列(array)区与一周边电路(periphery)区；形成复数个闸极结构于该阵列区与该周边电路区中；顺应性形成一阻障层于该基底与该等闸极结构上；形成一介电层于该阻障层上；将该介电层进行回蚀使于阵列区中形成一残留之介电层，以及于该周边电路区中之该等闸极结构的二侧形成一间隙壁；施行一离子布植以于该周边电路区中形成一源/汲极；形成一罩幕层覆盖住该周边电路区且暴露该阵列区；以及以该罩幕层为蚀刻罩幕去除该阵列区中该残留之介电层。 | ||
| 地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||