发明名称 SISTEMA DE ALINEACION DE PATRONES EN UN SUSTRATO MEDIANTE LITOGRAFIA POR ESTENCIL
摘要 Sistema de alineación de patrones en un sustrato mediante litografía por esténcil. El objeto principal de la presente invención es un sistema para alinear dos o más patrones en un sustrato utilizando litografía por esténcil en vacío, de modo que se consigue una precisión de alineación óptima. Más particularmente, se trata de un sistema de alineación de patrones basado en disponer un sensor de masa capaz de detectar el material emitido en una posición conocida detrás del esténcil, de modo que se conoce la posición de este último en función de la señal emitida por el sensor.
申请公布号 ES2332082(A1) 申请公布日期 2010.01.25
申请号 ES20080002208 申请日期 2008.07.24
申请人 CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (C;UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BARCELONA;ECOLE POLYTECNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) 发明人 PEREZ MURANO FRANCESC;ARCAMONE JULIEN;SANSA MARC;BRUEGGER JUERGEN;VAN D N BOOGART MARC;BARNIOL BEUMALA NURIA
分类号 H01L21/68;C23C14/04;G03F9/00 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人
主权项
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