| 摘要 |
<p>Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels CVD, wobei ein Abscheidegas durch einen Kanal geleitet wird, der oben von einem Fenster, das für Wärmestrahlung durchlässig ist, und unten von einer Ebene E begrenzt wird, in der die Oberfläche der zu beschichtenden Halbleiterscheibe liegt. Die Geschwindigkeit, mit der das Abscheidegas über die Halbleiterscheibe geleitet wird, wird verändert, indem der Abstand D zwischen der Ebene und dem Fenster derart gewählt wird, dass er in einem Zentrumsbereich des Fensters und in einem Randbereich des Fensters außen größer ist als innen, und eine an den radialen Verlauf des Abstandes an der Grenze vom Zentrumsbereich zum Randbereich angelegte Tangente mit der Ebene einen Winkel von nicht weniger als 15° und nicht mehr als 25° einschließt, wobei der Zentrumsbereich des Fensters ein innerer Bereich des Fensters ist, der die Halbleiterscheibe überdeckt, und der Randbereich des Fensters ein äußerer Bereich des Fensters ist, der die Halbleiterscheibe nicht überdeckt. Gegenstand der Erfindung sind des Weiteren eine Kammer zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels CVD und eine Halbleiterscheibe mit einer epitaktischen Schicht.</p> |
