发明名称 | 具有低温度系数的超微功耗参考源电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有低温度系数的超微功耗参考源电路,保证不同工艺偏差下参考源温度特性的一致性。其技术方案为:该电路包括:一耗尽型PMOS元件,栅极和源极共同连接至电源端;一可调有效尺寸的增强型NMOS元件阵列,通过控制阵列中切断器件的开合来调整阵列的有效尺寸,该阵列的栅极端和源极端之间的输出电压作为该电压参考源;一电阻,并联在该阵列的栅极端和源极端;一相位补偿器,并联在该阵列的漏极端和源极端;一NMOS管放大元件,栅极与该阵列的漏极端连接,源极接地;一电流镜,输入端连接该N MOS管放大元件的漏极,输出端连接至该阵列的栅极端,以流过该电流镜的输出电流作为该电流参考源。本发明应用于集成电路领域。 | ||
申请公布号 | CN100582993C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
申请号 | CN200610116633.4 | 申请日期 | 2006.09.28 |
申请人 | 华润矽威科技(上海)有限公司 | 发明人 | 刘晨;刘家洲;施挺;侯彬;王磊 |
分类号 | G05F3/30(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/30(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈 亮 |
主权项 | 1一种具有低温度系数的超微功耗参考源电路,用于产生电压参考源和电流参考源,在不同的温度条件下提供一致的参考信号,所述电路包括:一P沟道耗尽型MOS元件,其栅极和源极相连,共同连接至电源端;一可调有效尺寸的N沟道增强型MOS元件阵列,在该阵列中设置至少一个切断器件,通过控制该切断器件的开合来调整该N沟道增强型MOS元件阵列的有效尺寸,该阵列的漏极端与该P沟道耗尽型MOS元件的漏极连接,该阵列的源极端接地,以该阵列的栅极端和源极端之间的输出电压作为该电压参考源;一第一电阻,并联在该N沟道增强型MOS元件阵列的栅极端和源极端之间;一相位补偿器,并联在该N沟道增强型MOS元件阵列的漏极端和源极端,用作反馈控制环路的相位补偿;一N沟道MOS管放大元件,栅极与该N沟道增强型MOS元件阵列的漏极端连接,源极接地;一电流镜,输入端连接该N沟道MOS管放大元件的漏极,输出端连接至该N沟道增强型MOS元件阵列的栅极端,以流过该电流镜的输出电流作为该电流参考源。 | ||
地址 | 200233上海市钦州北路1122号92号楼5楼 |