| 发明名称 | 防止外延工艺中标记发生畸变的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种防止外延工艺中标记发生畸变的方法，即在光刻的对准标记上生长一层非单晶保护层，从而防止生长时产生层错、位错等缺陷，避免了标记随外延生长而发生偏移和形变，进而避免了由外延生长导致图形畸变而产生的对准精度偏差问题，从而提高了对准精度。 | ||
| 申请公布号 | CN101630637A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200910055894.3 | 申请日期 | 2009.08.04 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 朱骏 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1.一种防止外延工艺中标记发生畸变的方法，所述标记位于衬底上，其特征在于：在所述标记上生长一层非单晶保护层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区 | ||