静电放电保护电路

摘要

一静电放电保护电路包括：一埋藏氧化层；设置于埋藏氧化层上的一半导体层；以及一第一与一第二金属氧化半导体装置。第一金属氧化半导体装置包括设置于半导体层上方的第一栅极；具有一部分设置于第一栅极下方的第一阱区；以及设置于半导体层内第一源极区域与第一漏极区域。第二金属氧化半导体装置包括：设置于半导体层上方的第二栅极；具有一部分设置于上述第二栅极下方的第二阱区。第二阱区耦接至一放电端点，并且第一阱区并不直接连接至放电端点，而是通过第二阱区耦接至放电端点。第二金属氧化半导体装置还包括设置于半导体层内并且邻接第二阱区的第二源极区域与第二漏极区域。本发明可以显著地增加ESD电路的可靠度。

主权项

1.一种静电放电保护电路，包括：一埋藏氧化层；一半导体层，设置于上述埋藏氧化层上；一第一金属氧化半导体装置，包括：一第一栅极，设置于上述半导体层上方；一第一阱区，具有一部分设置于上述第一栅极下方；以及一第一源极区域与一第一漏极区域，设置于上述半导体层内，并且邻接上述第一阱区；以及一第二金属氧化半导体装置，包括：一第二栅极，设置于上述半导体层上方；一第二阱区，具有一部分设置于上述第二栅极下方，其中上述第二阱区耦接至一放电端点，上述放电端点包括选自以下群组的一接地点与一电压源，并且其中上述第一阱区并不直接连接至上述放电端点，而是通过上述第二阱区耦接至上述放电端点；以及一第二源极区域与一第二漏极区域，设置于上述半导体层内，并且邻接上述第二阱区。