发明名称 |
半导体芯片及半导体芯片堆叠式封装 |
摘要 |
一种半导体芯片堆叠式封装中的半导体芯片,可包括:半导体衬底,形成有半导体器件;绝缘层,位于所述半导体衬底上方;深通路,穿过所述半导体衬底和所述绝缘层;互连层,将所述半导体器件与所述深通路电连接;以及测试器件,与所述深通路和所述互连层两者电连接。根据本发明,由于半导体芯片和半导体芯片堆叠式封装包括测试器件,因而可以测试半导体芯片堆叠式封装的可靠性。 |
申请公布号 |
CN101630672A |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200910139952.0 |
申请日期 |
2009.07.17 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
郑伍珍 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;G01R31/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军;陈昌柏 |
主权项 |
1.一种装置,包括:半导体衬底,形成有半导体器件;绝缘层,位于所述半导体衬底上方;深通路,穿过所述半导体衬底和所述绝缘层;互连层,将所述半导体器件与所述深通路电连接;以及测试器件,与所述深通路和所述互连层两者电连接。 |
地址 |
韩国首尔 |