发明名称 半导体芯片及半导体芯片堆叠式封装
摘要 一种半导体芯片堆叠式封装中的半导体芯片,可包括:半导体衬底,形成有半导体器件;绝缘层,位于所述半导体衬底上方;深通路,穿过所述半导体衬底和所述绝缘层;互连层,将所述半导体器件与所述深通路电连接;以及测试器件,与所述深通路和所述互连层两者电连接。根据本发明,由于半导体芯片和半导体芯片堆叠式封装包括测试器件,因而可以测试半导体芯片堆叠式封装的可靠性。
申请公布号 CN101630672A 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200910139952.0 申请日期 2009.07.17
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 郑伍珍
分类号 H01L23/522(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;G01R31/02(2006.01)I 主分类号 H01L23/522(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 郑小军;陈昌柏
主权项 1.一种装置,包括:半导体衬底,形成有半导体器件;绝缘层,位于所述半导体衬底上方;深通路,穿过所述半导体衬底和所述绝缘层;互连层,将所述半导体器件与所述深通路电连接;以及测试器件,与所述深通路和所述互连层两者电连接。
地址 韩国首尔