一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法

摘要

一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明采用化学气相沉积的方法，在管式炉中通入流量为108～113ml/min氩气和氢气混合气体，将ZnS粉末和MnCl₂粉末在氩气和氢气混和气氛下蒸发。蒸发源放在氩气和氢气混合气流的入口方向，硅片放在氩气和氢气混合气流的出口方向，硅片和蒸发源的水平距离为3～6mm；管式炉升温至900～920℃，保温60～200min，保持炉内压强0.015～0.03MPa，在空白硅片上沉积Mn掺杂ZnS纳米结构。该方法不需要催化剂，就可获得高纯度、高结晶质量的Mn掺杂ZnS纳米材料，而且制备方法简单，成本低、易于操作。

主权项

1、一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法，将ZnS粉末和MnCl2粉末作为蒸发源，其特征在于，在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氩气和氢气混合气体；并将放有蒸发源的石英舟和经酒精和丙酮超声清洗后的空白硅片一起放入管式炉中，蒸发源放在氩气和氢气混合气流的入口方向，硅片放在氩气和氢气混合气流的出口方向，硅片和蒸发源的水平距离为3～6mm；将管式炉升温至900～920℃，保温60～200min，保持炉内压强0.015～0.03MPa，生长结束后随炉冷却至室温后取出，硅片表面沉积有Mn掺杂ZnS纳米结构的材料。