发明名称 |
一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法,薄膜体声波谐振器由集成为一体的基片、声波反射层和三明治压电堆三部分组成,所述的基片由可进行FBAR信号处理的集成电路芯片以及沉积在集成电路芯片上且表面经过抛光的钝化层构成,所述的声波反射层和三明治压电堆位于基片的钝化层表面。本发明薄膜体声波谐振器不另外占用硅片面积,可大大减小芯片面积和成本,且结构简单可靠,便于传感,FBAR与处理电路通过互连通孔连接,可减小射频信号的反射,可用于多种射频系统及微小质量传感系统的单芯片集成设计。 |
申请公布号 |
CN101630946A |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200910101967.8 |
申请日期 |
2009.08.27 |
申请人 |
浙江大学;清华大学 |
发明人 |
董树荣;任天令;杨轶;赵士恒;彭平刚 |
分类号 |
H03H9/17(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/17(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
1、一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,由集成为一体的基片、声波反射层和三明治压电堆三部分组成,所述的基片由可进行FBAR信号处理的集成电路芯片以及沉积在集成电路芯片上且表面经过抛光的钝化层构成,所述的声波反射层位于基片钝化层的抛光表面,所述的三明治压电堆位于声波反射层表面。 |
地址 |
310058浙江省杭州市西湖区余杭塘路388号 |