发明名称 | 能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构 | ||
摘要 | 一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构,由以下部分组成:一N型层;一本征层,该本征层生长在N型层上;一P型层,该P型层生长在本征层上;一有机空穴注入层,该有机空穴注入层生长在P型层上;一有机空穴传输层,该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上;一有机发光层,该有机发光层生长在有机空穴传输层上;一阴极,该阴极生长在有机电子传输层上的一侧;一N型欧姆接触层,该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧;上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。 | ||
申请公布号 | CN101630717A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
申请号 | CN200810116740.6 | 申请日期 | 2008.07.16 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李林森;关敏;曹国华;曾一平;李晋闽 |
分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1、一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构,所述的器件分为下层无机红外光探测结构和上层有机发光二极管结构,其特征在于,由以下部分组成:一N型层;一本征层,该本征层生长在N型层上;一P型层,该P型层生长在本征层上;一有机空穴注入层,该有机空穴注入层生长在P型层上;一有机空穴传输层,该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上;一有机发光层,该有机发光层生长在有机空穴传输层上;一阴极,该阴极生长在有机电子传输层上的一侧;一N型欧姆接触层,该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧;上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 |