发明名称 |
不受温度变化及供应电压变化影响的稳定振荡器 |
摘要 |
本发明提供一比较器,用于振荡器电路并具有一自我偏压(self bias)的参考电压,比较器包括:一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络,形成定电流源等效连接,其中耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一栅极以及一源极间连接;一增强型金属氧化物半导体晶体管网络,其中增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与耗尽型金属氧化物半导体晶体管串联,其一栅极端可接收一输入电压,当输入电压低于参考电压时,比较器输出一高电平信号,当输入电压高于参考电压时,比较器输出一低电平信号。另外,一振荡器电路使用上述的比较器,使参考电压独立于外部电压源变化以及温度变化。 |
申请公布号 |
CN100581056C |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200610143515.2 |
申请日期 |
2006.11.10 |
申请人 |
天时电子股份有限公司 |
发明人 |
吴盈锋;吴哲铭 |
分类号 |
H03K5/24(2006.01)I;H03B5/02(2006.01)I;H03B5/04(2006.01)I;H03B5/12(2006.01)I |
主分类号 |
H03K5/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陶海萍 |
主权项 |
1.一比较器,其特征在于,用于振荡器电路并具有一自我偏压的参考电压,包含:一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络,形成定电流源等效连接,其中所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一栅极以及一源极间连接;以及一增强型金属氧化物半导体晶体管网络,其中所述增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管串联,其一栅极端可接收一输入电压,当所述输入电压低于参考电压时,所述比较器输出一高电平信号,当所述输入电压高于所述参考电压时,所述比较器输出一低电平信号。 |
地址 |
台湾省新竹市 |