发明名称 研磨垫、研磨装置、研磨装置用保护膜以及研磨方法
摘要 本发明提供一种研磨垫及研磨装置,所述研磨垫用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面,在衬底表面不易产生划痕,研磨过程中能够光学性良好地测定研磨状态,同时能够测定是否能均匀地研磨被研磨材料的整个表面。为了解决上述课题,本发明采用以下方法。即,本发明的研磨垫的特征在于,研磨过程中在通过晶圆中心的位置设置连通研磨面和背面的贯通孔,该贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为半径的35%以上,该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度,该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度为半径的10%以下,与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为半径的12.5%以下。
申请公布号 CN100580885C 申请公布日期 2010.01.13
申请号 CN200780003648.2 申请日期 2007.01.29
申请人 东丽株式会社 发明人 城邦恭;本田智之;花本深雪
分类号 H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/304(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 杨宏军
主权项 1、一种研磨垫,其特征在于,设置有连通研磨面和背面的贯通孔,所述贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为研磨垫半径的35%以上,所述贯通孔的朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度,所述贯通孔的朝向研磨垫中心方向的长度为研磨垫半径的10%以下,与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为研磨垫半径的12.5%以下。
地址 日本东京都