| 发明名称 | 压力传感器 | ||
| 摘要 | 公开了一种BESOI技术中的压阻式压力传感器，其特别适于测量较小的压力并且具有较小的线性误差。压力传感器由具有第一和第二硅层(1，3)以及布置在其间的氧化层(5)的BESOI晶片制成。压力传感器具有由BESOI晶片的第一硅层(1)形成的有源层(7)，在该有源层中掺杂压阻元件(9)；压力传感器还具有由BESOI晶片的第二硅层(3)形成的膜托架(11)，其在外部围绕第二硅层(3)中的凹座(13)，通过该凹座暴露有源层(7)的以及与之连接的氧化层(5)的形成膜(15)的区域，其中，在氧化层(5)的通过凹座(13)暴露的区域(21)的外边缘中提供围绕该区域(21)的沟槽(19)。 | ||
| 申请公布号 | CN101627292A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200880007360.7 | 申请日期 | 2008.03.04 |
| 申请人 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 发明人 | 伊戈尔·格特曼;迪特尔·施托尔塞;英·图安·塔姆 |
| 分类号 | G01L9/06(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 邹 璐;樊卫民 |
| 主权项 | 1.由BESOI晶片制造的压力传感器，该BESOI晶片具有第一和第二硅层(1，3)以及设置在该第一和第二硅层之间的氧化层(5)，-该压力传感器具有由BESOI晶片的第一硅层(1)形成的有源层(7)，在该有源层中掺杂有压阻元件(9)；并且-该压力传感器具有由BESOI晶片的第二硅层(3)形成的膜托架(11)，--该膜托架在外侧围绕第二硅层(3)中的凹座(13)，通过该凹座暴露有源层(7)的以及与该有源层连接的氧化层(5)的形成膜(15)的区域，-其中，在氧化层(5)的通过凹座(13)暴露的区域(21)的外边缘中提供围绕该区域(21)的槽(19)。 | ||
| 地址 | 德国毛尔堡 | ||