双镶嵌结构的制作方法

摘要

一种双镶嵌结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成金属布线层、覆盖层、层间绝缘层、阻挡层和第一光刻胶层；刻蚀阻挡层、层间绝缘层和覆盖层至露出金属布线层，形成接触孔；在接触孔内以及阻挡层上形成底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，直至阻挡层上的底部抗反射层被完全去除，接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；刻蚀阻挡层和层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通，形成为双镶嵌结构。本发明简化了工艺步骤，防止金属布线层产生缺陷。

主权项

1.一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成金属布线层、覆盖层、层间绝缘层、阻挡层和第一光刻胶层；图形化第一光刻胶层后，以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层、层间绝缘层和覆盖层至露出金属布线层，形成接触孔；去除第一光刻胶层后，在接触孔内以及阻挡层上形成底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，直至阻挡层上的底部抗反射层被完全去除，接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；在阻挡层上形成第二光刻胶层；图形化第二光刻胶层后，以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层和层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除第二光刻胶层和接触孔内的底部抗反射层，形成双镶嵌结构。