非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质

摘要

本发明的非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质是一种具有通过施加电脉冲而电阻变化的非易失性存储元件的非易失性存储装置，其具备实行第一写入的第一写入电路(106)和实行第二写入的第二写入电路(108)。其中，第一写入通过向非易失性存储元件施加第一电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第一电阻值变化到第二电阻值；通过施加与第一电脉冲相反极性的第二电脉冲，从第二电阻值变化到第一电阻值；通过向非易失性存储元件施加第三的电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第三电阻值变化到第四电阻值，通过施加与第三电脉冲同极性的第四电脉冲，从第四电阻值变化到第五电阻值。

主权项

1.一种非易失性存储装置，其具有，具有双极状态和单极状态并且通过电脉冲的施加而电阻变化的非易失性存储元件，其特征在于，具有：第二写入电路，其进行第二写入，第二写入的动作为，向双极高电阻状态中的非易失性存储元件依次施加极性相同的二个电脉冲，由此使非易失性存储元件向单极高电阻状态变化；写入切换电路，其向单极高电阻状态中的非易失性存储元件施加与所述二个电脉冲相反极性的写入切换脉冲，由此使非易失性存储元件向双极低电阻状态变化。