| 发明名称 | 屏蔽栅沟槽FET结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 屏蔽栅沟槽场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区中的多个沟槽。屏蔽电极设置在每个沟槽的底部。屏蔽电极通过屏蔽电介质与半导体区绝缘。栅电极在每个沟槽中设置在屏蔽电极之上，并且极间电介质(IED)包括在屏蔽电极和栅电极之间延伸的低-k电介质。 | ||
| 申请公布号 | CN101626033A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200910158934.7 | 申请日期 | 2009.07.08 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 潘南西;詹姆斯·J·墨菲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管(FET)，包括：多个沟槽，延伸进入半导体区中；屏蔽电极，位于每个沟槽的底部，所述屏蔽电极通过屏蔽电介质与所述半导体区绝缘；栅电极，位于所述屏蔽电极之上；以及极间电介质(IED)，在所述屏蔽电极和所述栅电极之间延伸，所述IED包括低-k电介质。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||