一种制备高纯多晶硅的还原设备

摘要

本实用新型公开了一种制备高纯多晶硅还原设备，包括：SiCl₄蒸发器，还原炉，尾气处理器。采用N₂作为载气将SiCl₄蒸发器中的SiCl₄带入还原炉中，还原炉分为炉尾、炉中、炉口三段，集金属蒸汽发生装置、还原反应装置、尾气回收装置于一身，表面镀有SiN保护膜。利用本实用新型使高纯多晶硅的制备成本大幅降低、减少各种不必要的浪费，提高生产效率。解决了现有技术存在的耗能高、工艺复杂等问题，实现了还原纯度为6N级以上多晶硅产品效果。

主权项

1、一种制备高纯多晶硅还原设备，由SiCl4蒸发器[1]、还原炉[2]，尾气处理器[3]组成，其特征在于，所述的SiCl4蒸发器[1]的进气口[4]与外部气源连接；所述的出气口[6]与炉管[20]内壁的细管[14]气路的入口相连接；所述的炉管[20]分为炉尾[13]、炉中[15]、炉口[16]三段，段内结合处各放置一个高纯石英舟，内壁安装若干个细管[14]并向下开有若干小孔，进气口[7]与SiCl4蒸发器[1]进气口[4]相连；所述的细管[14]垂直截面相邻小孔中心线与中线连线成15度角，其中小孔为七排出气孔[21]，上小孔等间距排列并延伸至炉中[15]。