一种离心分离牺牲层工艺

摘要

离心分离牺牲层工艺，包括以下步骤：对基片进行清洗；牺牲层涂覆；进行第一次旋涂光刻胶；进行第一次光刻；采用丙酮去除光刻胶层；进行第二次旋涂光刻胶；进行第二次光刻；显影去除牺牲层，从而在显影液形成膜桥和悬臂梁结构；进行离心分离，离心机的转速为1400rpm-1600rpm，去除基片表面的液体，使微结构得到释放。本发明利用旋转时产生的离心力，来克服液体干化过程中对驱动结构产生向下的表面张力，通过控制离心机的转速，将离心力控制在既克服下拉的表面张力，同时又不破坏悬臂梁或膜桥等微结构。本发明可以制备出结构完好悬臂梁和膜桥等微机械结构，方法简单易行，设备要求不高，低成本，时间短，成品率高，具有很高的实用价值。

主权项

1、一种离心分离牺牲层工艺，其特征在于具体步骤如下：(1)基片清洗分别用HF溶液、去离子水和丙酮+乙醇溶液清洗单晶硅基片，然后将基片放入烘箱内烘干；(2)牺牲层涂覆在基片上涂覆牺牲层，首先，在基片上涂增黏剂；然后，旋涂聚酰亚胺牺牲层后烘干，烘干后聚酰亚胺牺牲层的厚度为2-3μm；(3)第一次旋涂光刻胶在聚酰亚胺牺牲层上涂覆光刻胶层，光刻胶层厚度为5-7μm；(4)进行第一次光刻在所述的光刻胶层上采用掩膜版光刻出悬臂梁或膜桥的锚位图形；(5)丙酮去除光刻胶采用丙酮去除牺牲层上的光刻胶层，聚酰亚胺不溶于丙酮，而保留下来；(6)第二次旋涂光刻胶在聚酰亚胺牺牲层上再涂覆一层光刻胶，光刻胶层厚度为3-5μm；(7)进行第二次光刻在第二次旋涂的光刻胶上采用掩膜版进行第二次曝光，刻蚀掉悬臂梁和膜桥图形之外的部分，形成光刻胶的悬臂梁和膜桥结构；(8)显影去除牺牲层聚酰亚胺牺牲层溶于碱性显影液，而桥梁未曝光部分的光刻胶不溶于碱性显影液，从而在显影液形成膜桥和悬臂梁结构；(9)离心分离把在去离子水中漂洗好的基片取出，将其背面固定于工件台上；接着把工件台放在离心机上，通过控制离心机的转速1400rpm-1600rpm，去除基片表面的液体，使微结构得到释放。