| 发明名称 | 半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备 | ||
| 摘要 | 一种改进金属保护层可靠性和生产率的半导体器件制造方法，该方法包括将绝缘层(11)叠加在包括元件区(2b)的半导体基板(2)上的绝缘层步骤，在所述绝缘层(11)中形成凹槽(12)的凹槽步骤，将金属层(13)嵌入到所述凹槽(12)中的金属层步骤，将所述绝缘层(11)的表面和所述金属层(13)的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤，以及在平坦化步骤之后，在所述绝缘层(11)的所述表面和所述金属层(13)的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层(16)的金属保护层步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101627459A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200880006286.7 | 申请日期 | 2008.02.25 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 畠中正信;津曲加奈子;石川道夫 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人 | 段迎春 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，包括：将绝缘层叠加在包括元件区的半导体基板上的绝缘层步骤；在所述绝缘层中形成凹槽的凹槽步骤；将金属层嵌入到所述凹槽中的金属层步骤；将所述绝缘层的表面和所述金属层的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤；以及在所述平坦化步骤之后，在所述绝缘层的所述表面和所述金属层的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层的金属保护层步骤。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||