半导体受光元件

摘要

本发明提供一种能够降低量子效率的波长依赖性的半导体受光元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)的下表面上，从n型InP衬底(10)侧起依次形成有n型第一多层反射层(12)、n型第一光谐振层(14)、n型第二多层反射层(16)、i型InGaAs光吸收层(18)、和阳极电极(22)(反射膜)。在n型InP衬底(10)的上表面上形成有反射防止膜(26)。第一光谐振层(14)比构成第一、第二的多层反射层(12、16)的各半导体层厚，在将在第二多层反射层(16)和阳极电极(22)之间具有的膜的光学膜厚作为第一光学膜厚Lopt1，将第一光谐振层(14)的光学膜厚作为第二光学膜厚Lopt2时，Lopt1和Lopt2不同。

主权项

1.一种半导体受光元件，其特征在于，在半导体衬底的下表面上，从所述半导体衬底侧起依次形成第一多层反射层、第一光谐振层、第二多层反射层、光吸收层、和反射膜，在所述半导体衬底的上表面上形成防反射膜，所述第一光谐振层比构成所述第一、第二多层反射层的各半导体层厚，当将在所述第二多层反射层和所述反射膜之间具有的膜的光学膜厚作为第一光学膜厚、将所述第一光谐振层的光学膜厚作为第二光学膜厚时，所述第一光学膜厚与所述第二光学膜厚不同。