用于光电子应用的基板的制造方法

摘要

本发明涉及一种用于光电子应用的基板的制造方法，所述基板具有在最终载体上的至少一个活性氮化物层及最终载体与至少一个活性氮化物层之间的金属中间层，其中，所述方法包括以下步骤：制备辅助基板，其中将一个半导体氮化物层置于辅助载体上；金属化所述氮化物层一侧的所述辅助基板；将金属化的载体基板与所述最终基板相接合；以及在所述接合步骤之后移除所述辅助载体。本发明的目的是提供一种上述类型的可以提高活性氮化物层的结晶质量的方法。通过上述类型的以下方法来达到这一目的，在所述方法中，制备所述辅助基板的步骤包括：从大块半导体氮化物基板分离一部分；以及将所述部分转移到所述辅助载体上，从而在其上形成所述半导体氮化物层。

主权项

1、一种用于光电子应用的基板(1)的制造方法，所述基板(1)具有在最终载体(7)上的至少一个活性氮化物层(2、15)以及在所述最终载体(7)与所述至少一个活性氮化物层(2、15)之间的金属中间层(4)，其中，所述制造方法包括以下步骤：制备辅助基板(5)，其中将一个半导体氮化物层(2)置于辅助载体(6)上；金属化所述氮化物层(2)一侧的所述辅助基板(5)；将金属化的所述辅助基板(5)与所述最终载体(7)相接合；以及在所述接合步骤之后移除所述辅助载体(6)；所述制造方法的特征在于：所述制备辅助基板(5)的步骤包括：接合步骤，将所述辅助载体(6)与具有氮面(18)的大块半导体氮化物基板(8)在所述氮化物基板(8)的所述氮面(18)一侧相接合；以及分离和转移步骤，从所述大块半导体基板(8)分离一部分以在所述辅助载体(6)上形成所述半导体氮化物层(2)；其中，将所述大块半导体氮化物基板(8)制造为位错密度小于106/cm2；并且所述氮化物基板的所述氮面(18)被抛光，使其表面粗糙度(RMS)低于0.3nm。