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发明名称
制造快闪记忆卡之方法
摘要
本发明揭示一种用于藉由从一积体电路面板冲孔及切割封装之一制程来形成半导体封装之方法。在用于将该等封装囊封于一模制化合物的一囊封制程期间,可使该面板之多个部分没有模制化合物。可随后从该面板冲孔没有模制化合物之该面板之部分。该些冲孔区域可在该完成半导体封装之外部边缘内界定斜面、凹口或各种其他曲线、直线或不规则形状。在冲孔该面板之后,可切断该等积体电路。藉由从该面板冲孔多个区域,然后沿笔直边缘进行切割,揭示一种简单,有效且具成本效率的方法用于获得各种所需形状的完成半导体封装。
申请公布号
TWI319604
申请公布日期
2010.01.11
申请号
TW095140451
申请日期
2006.11.01
申请人
桑迪士克股份有限公司
发明人
汉 塔奇尔;希瑞卡 巴盖斯;邱锦泰
分类号
H01L21/56;G06K19/077
主分类号
H01L21/56
代理机构
代理人
黄章典;楼颖智
主权项
一种制造具有一般矩形形状外部周边之一半导体封装之方法,该半导体封装具有不同于该一般矩形形状之至少一外部边缘,该半导体封装藉由以下步骤由一面板形成:(a)在模制化合物内囊封该面板,同时使形成在该半导体封装的一外部边缘内的一斜面及一凹口的至少一者没有模制化合物;(b)从该面板冲孔该凹口及斜面的该至少一者,以在该半导体封装内定义该至少一外部边缘;及(c)藉由笔直边缘切割通过该面板从该面板切出该半导体封装,至少一笔直边缘切割系邻接在步骤(b)中冲孔的该凹口及斜面的至少一者。
地址
美国
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